okDatasheet.com

F2248 مماثلة

  • F2246
    • 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2247
    • 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2248
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2248 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 6 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 38 KB

التطبيق : 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2248 تحميل PDF