okDatasheet.com

F2213 مماثلة

  • F2211
    • 15 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2212
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2213
    • 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2213 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 39 KB

التطبيق : 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2213 تحميل PDF