F2201 المضاربه : 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2201 مماثلة

F2201
- 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2202
- 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2201 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 2

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 38 KB

التطبيق : 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor