F2021 المضاربه : 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2021 مماثلة

F2021
- 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2021 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 2

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 40 KB

التطبيق : 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor