F1510 المضاربه : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1510 مماثلة

F1510
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1516
- 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1510 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 2

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 39 KB

التطبيق : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor