F1410 المضاربه : 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1410 مماثلة

F1410
- 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1415
- 150 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1410 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 6

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 39 KB

التطبيق : 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor