F1280 المضاربه : 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1280 مماثلة

F1280
- 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1280 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 6

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 42 KB

التطبيق : 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor