F1260 المضاربه : "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

F1260 مماثلة

F1260
- "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

F1260 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 6

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 41 KB

التطبيق : "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"