okDatasheet.com

F1222 مماثلة

  • F1220
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1221
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1222
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1222 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 2 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 41 KB

التطبيق : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1222 تحميل PDF