المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > F1210
F1210 المضاربه : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1210 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 4
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 40 KB
التطبيق : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1210 تحميل PDF