F1116 المضاربه : 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1116 مماثلة

F1116
- 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1116 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 4

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 46 KB

التطبيق : 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor