F1081 المضاربه : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1081 مماثلة

F1081
- 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1081 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 4

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 43 KB

التطبيق : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor