F1058 المضاربه : 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1058 مماثلة

F1058
- 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1058 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 4

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 41 KB

التطبيق : 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor