F1034 المضاربه : 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1034 مماثلة

F1034
- 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1034 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 4

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 34 KB

التطبيق : 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor