PNP10N10E المضاربه : PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.

PNP10N10E مماثلة

PNP10N10E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.
PNP12N10E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 14 A.
PNP12N10E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 14 A.
PNP18N20E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 18 A.

PNP10N10E Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips

التعبءه : TO220AB

دبابيس : 3

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 78 KB

التطبيق : PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.