okDatasheet.com

PHX8N50E مماثلة

  • PHX8N50E
    • 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
  • PHX8N50E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHX8N50E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHX8ND50E
    • PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated.

PHX8N50E Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips 

التعبءه : SOT 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 81 KB

التطبيق : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated 

PHX8N50E تحميل PDF