المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHW11N50E
PHW11N50E المضاربه : PowerMOS transistor. Avalancne energy rated.
PHW11N50E مماثلة
- PHW10N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW10N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW10N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW11N50E
- PowerMOS transistor. Avalancne energy rated.
- PHW11N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW11N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW13N40E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW14N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHW11N50E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT429
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 45 KB
التطبيق : PowerMOS transistor. Avalancne energy rated.
PHW11N50E تحميل PDF