المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHD6N10E
PHD6N10E المضاربه : 100 V, power MOS transistor
PHD6N10E مماثلة
- PHD66NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHD69N03LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD69N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD69N03LT
- 25 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD6N10E
- 100 V, power MOS transistor
- PHD6N10E
- PowerMOS transistor
PHD6N10E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C
حجم : 62 KB
التطبيق : 100 V, power MOS transistor
PHD6N10E تحميل PDF