المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHB8ND50E
PHB8ND50E المضاربه : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHB8ND50E مماثلة
- PHB80N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB80N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB80N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB83N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB87N03LT
- 25 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHB87N03LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB87N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHB87N03T
- 30 V, TrenchMOS transistor standard level FET
PHB8ND50E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 80 KB
التطبيق : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHB8ND50E تحميل PDF