المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHB6N50E
PHB6N50E المضاربه : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB6N50E مماثلة
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB60N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- Trench transistor Logic level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHB6N50E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 84 KB
التطبيق : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB6N50E تحميل PDF