المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHB2N60E
PHB2N60E المضاربه : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB2N60E مماثلة
- PHB20N06T
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHB20NQ20T
- 200 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHB20NQ20T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHB21N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB21N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHB21N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB23NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHB23NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHB2N60E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 83 KB
التطبيق : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB2N60E تحميل PDF