PHB112N06T مماثلة

  • PHB100N03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB10N40
    • PowerMOS transistor.
  • PHB10N40E
    • 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
  • PHB112N06T
    • 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB11N03LT
    • N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
  • PHB11N03LT
    • 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
  • PHB11N06LT
    • 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
  • PHB11N06LT
    • TrenchMOS transistor. Logic level FET.

PHB112N06T Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips 

التعبءه : SOT 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 288 KB

التطبيق : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

PHB112N06T تحميل PDF