المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHB112N06T
PHB112N06T المضاربه : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHB112N06T
PHB112N06T المضاربه : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C
حجم : 288 KB
التطبيق : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor