المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > IRF830
IRF830 المضاربه : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
IRF830 Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 63 KB
التطبيق : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
IRF830 تحميل PDF