BUT211X مماثلة

  • BUT211
    • 850 V, silicon diffused power transistor
  • BUT211
    • 850 V, silicon diffused power transistor
  • BUT211X
    • 850 V, silicon diffused power transistor

BUT211X Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips 

التعبءه : SOT 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 62 KB

التطبيق : 850 V, silicon diffused power transistor 

BUT211X تحميل PDF