MGW21N60ED مماثلة

  • MGW20N120
    • Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
  • MGW21N60ED
    • Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel

MGW21N60ED Datasheet والمضاربه

الصانع : ON Semiconductor 

التعبءه : TO-247 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 167 KB

التطبيق : Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel 

MGW21N60ED تحميل PDF