MGW12N120D مماثلة

  • MGW12N120
    • Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
  • MGW12N120D
    • Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel
  • MGW14N60ED
    • Insulated Gate Bipolar Transistor

MGW12N120D Datasheet والمضاربه

الصانع : ON Semiconductor 

التعبءه : TO-247 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 184 KB

التطبيق : Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel 

MGW12N120D تحميل PDF