MGP7N60E مماثلة

  • MGP7N60E
    • Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
  • MGP7N60ED
    • Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel

MGP7N60E Datasheet والمضاربه

الصانع : ON Semiconductor 

التعبءه : TO-220 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 129 KB

التطبيق : Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel 

MGP7N60E تحميل PDF