MGP4N60ED مماثلة

  • MGP4N60E
    • Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
  • MGP4N60ED
    • Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel

MGP4N60ED Datasheet والمضاربه

الصانع : ON Semiconductor 

التعبءه : TO-220 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 160 KB

التطبيق : Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel 

MGP4N60ED تحميل PDF