المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE312
NTE312 المضاربه : N-channel silicon junction. Field effect transistor.
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE312
NTE312 المضاربه : N-channel silicon junction. Field effect transistor.
الصانع : NTE Electronic
التعبءه :
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C
حجم : 26 KB
التطبيق : N-channel silicon junction. Field effect transistor.