المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2102
NTE2102 المضاربه : Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2102
NTE2102 المضاربه : Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.
الصانع : NTE Electronic
التعبءه : DIP
دبابيس : 16
درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 70 °C
حجم : 30 KB
التطبيق : Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.