المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > NEC Datasheet > NE321000
NE321000 المضاربه : A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > NEC Datasheet > NE321000
NE321000 المضاربه : A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification
الصانع : NEC
التعبءه : Chip
دبابيس : 0
درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C
حجم : 52 KB
التطبيق : A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification