MTY100N10E مماثلة

  • MTY100N10E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTY16N80E
    • TMOS E-FET power field effect transistor

MTY100N10E Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : TO-264 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 237 KB

التطبيق : TMOS E-FET power field effect transistor 

MTY100N10E تحميل PDF