MTW6N100E المضاربه : TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW6N100E مماثلة

MTW6N100E
- TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW6N100E Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola

التعبءه : TO-247AE

دبابيس : 4

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 214 KB

التطبيق : TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole