MTV6N100E مماثلة

  • MTV6N100E
    • TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount

MTV6N100E Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : DPAK 

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 288 KB

التطبيق : TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount 

MTV6N100E تحميل PDF