MTP8N06E مماثلة

  • MTP8N06E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP8N50E
    • TMOS E-FET power field effect transistor

MTP8N06E Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه :  

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 233 KB

التطبيق : TMOS E-FET power field effect transistor 

MTP8N06E تحميل PDF