MTP4N50E مماثلة

  • MTP40N10E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N40E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N50E
    • TMOS E-FET high energy power FET
  • MTP4N80E
    • TMOS E-FET power field effect transistor

MTP4N50E Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه :  

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 279 KB

التطبيق : TMOS E-FET high energy power FET 

MTP4N50E تحميل PDF