MTB4N80E1 مماثلة

  • MTB4N80E1
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount

MTB4N80E1 Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : DPAK 

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 175 KB

التطبيق : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount 

MTB4N80E1 تحميل PDF