MGW12N120D مماثلة

  • MGW12N120
    • Insulated gate bipolar transistor
  • MGW12N120D
    • Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode

MGW12N120D Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : TO-247AE 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 274 KB

التطبيق : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode 

MGW12N120D تحميل PDF