المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Mitsubishi Datasheet > MGFC41V3642
MGFC41V3642 المضاربه : 3.6-4.2 GHz band 12W internally matched GaAs FET
MGFC41V3642 مماثلة
- MGFC1403
- GaA fet for microwave low-noise amplifiers
- MGFC1403
- GaA fet for microwave low-noise amplifiers
- MGFC36V3436
- 3.4-3.6GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V5258
- 5.2-5.8GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V59964A
- 5.9-6.4GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V6472A
- 6.4-7.2 GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V7177A
- 7.1-7.7 GHz band 4W internally matched GaAs FET
- MGFC36V7785A
- 7.7-8.5GHz band 4W internally matched GaAs fet
MGFC41V3642 Datasheet والمضاربه
الصانع : Mitsubishi
التعبءه : GF-18
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C
حجم : 103 KB
التطبيق : 3.6-4.2 GHz band 12W internally matched GaAs FET
MGFC41V3642 تحميل PDF