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JAN1N3671RA المضاربه : 12A silicon power rectifier, 800V
JAN1N3671RA مماثلة
- JAN1N1202A
- 12A silicon power rectifier, 200V
- JAN1N1202RA
- 12A silicon power rectifier, 200V
- JAN1N1204A
- 12A silicon power rectifier, 400V
- JAN1N1206A
- 12A silicon power rectifier, 600V
- JAN1N1206RA
- 12A silicon power rectifier, 600V
- JAN1N3671A
- 12A silicon power rectifier, 800V
- JAN1N3671RA
- 12A silicon power rectifier, 800V
- JAN1N3673A
- 12A silicon power rectifier, 1000V
JAN1N3671RA Datasheet والمضاربه
الصانع : Microsemi
التعبءه : DO4
دبابيس : 2
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 116 KB
التطبيق : 12A silicon power rectifier, 800V
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