PN2906A مماثلة

  • PN2904A
    • 500mW PNP silicon planar epitaxial transistor
  • PN2905A
    • 500mW PNP silicon planar epitaxial transistor
  • PN2906
    • 500mW PNP silicon general purpose amplifier
  • PN2906A
    • 500mW PNP silicon general purpose amplifier
  • PN2907
    • 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor
  • PN2907A
    • 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor

PN2906A Datasheet والمضاربه

الصانع : Micro Electronics 

التعبءه : TO-18 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 113 KB

التطبيق : 500mW PNP silicon general purpose amplifier 

PN2906A تحميل PDF