المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Micro Electronics Datasheet > BC261
BC261 المضاربه : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
BC261 Datasheet والمضاربه
الصانع : Micro Electronics
التعبءه : TO-18
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 200 °C
حجم : 103 KB
التطبيق : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
BC261 تحميل PDF