2N2906 مماثلة

  • 2N2904A
    • NPN silicon planar epitaxial transistor
  • 2N2904A
    • NPN silicon planar epitaxial transistor
  • 2N2905
    • 600mW PNP silicon planar epitaxial transistor
  • 2N2905A
    • NPN silicon planar epitaxial transistor
  • 2N2905A
    • NPN silicon planar epitaxial transistor
  • 2N2906
    • 400mW PNP silicon general purpose amplifier
  • 2N2906A
    • 400mW PNP silicon general purpose amplifier
  • 2N2907
    • 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor

2N2906 Datasheet والمضاربه

الصانع : Micro Electronics 

التعبءه : TO-18 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 113 KB

التطبيق : 400mW PNP silicon general purpose amplifier 

2N2906 تحميل PDF