IXBT16N170 مماثلة

  • IXBT16N170
    • 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
  • IXBT40N140
    • 1400V high voltage BIMOSFET
  • IXBT40N160
    • 1600V high voltage BIMOSFET
  • IXBT40N160
    • 1600V high voltage BIMOSFET
  • IXBT40N160
    • 1600V high voltage BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
  • IXBT42N170
    • 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor

IXBT16N170 Datasheet والمضاربه

الصانع : IXYS 

التعبءه : TO-268 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 54 KB

التطبيق : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor 

IXBT16N170 تحميل PDF