المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IXYS Datasheet > IXBT16N170
IXBT16N170 المضاربه : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IXYS Datasheet > IXBT16N170
IXBT16N170 المضاربه : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
الصانع : IXYS
التعبءه : TO-268
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 54 KB
التطبيق : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor