المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IR Datasheet > IRG4RC10KD
IRG4RC10KD المضاربه : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.39V @ VGE = 15V, IC = 5.0A
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IR Datasheet > IRG4RC10KD
IRG4RC10KD المضاربه : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.39V @ VGE = 15V, IC = 5.0A
الصانع : IR
التعبءه : TO-252AA
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 208 KB
التطبيق : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.39V @ VGE = 15V, IC = 5.0A