المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IR Datasheet > IRG4PH30KD
IRG4PH30KD المضاربه : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IR Datasheet > IRG4PH30KD
IRG4PH30KD المضاربه : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A
الصانع : IR
التعبءه : TO-247AC
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 233 KB
التطبيق : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A