المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IR Datasheet > IRC830
IRC830 المضاربه : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
IRC830 مماثلة
- IRC830
- HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
IRC830 Datasheet والمضاربه
الصانع : IR
التعبءه : TO-220
دبابيس : 5
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 244 KB
التطبيق : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
IRC830 تحميل PDF