المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IR Datasheet > IRC540
IRC540 المضاربه : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > IR Datasheet > IRC540
IRC540 المضاربه : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
الصانع : IR
التعبءه : TO-220
دبابيس : 5
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C
حجم : 244 KB
التطبيق : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm