okDatasheet.com

ECF10N25 مماثلة

  • ECF10N25
    • N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.
  • ECF10P25
    • P-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.

ECF10N25 Datasheet والمضاربه

الصانع : EXICON 

التعبءه : TO3 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 70 KB

التطبيق : N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range. 

ECF10N25 تحميل PDF