DR210G مماثلة

  • DR210G
    • 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier

DR210G Datasheet والمضاربه

الصانع : EIC 

التعبءه : D2 

دبابيس : 2 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 42 KB

التطبيق : 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier 

DR210G تحميل PDF